[发明专利]具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201380060946.0 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN104813468B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: B·S·多伊尔;D·L·肯克;C·C·郭;U·沙阿;K·奥乌兹;M·L·多齐;S·苏里;C·韦布 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 陈松涛,王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和用于制造具有偏移单元的垂直STTM器件的方法。例如,自旋转移扭矩存储器(STTM)阵列包括设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件的第一负载线。所述STTM阵列还包括设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻并且只具有第二STTM器件的第二负载线,所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面。
搜索关键词: 具有 偏移 单元 垂直 自旋 转移 扭矩 存储器 sttm 器件 及其 形成 方法
【主权项】:
一种自旋扭矩转移存储器STTM阵列,包括:第一负载线,所述第一负载线设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件;第二负载线,所述第二负载线设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻,并且只具有第二STTM器件,所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面;第三负载线,所述第三负载线设置于所述衬底上方、与所述第二负载线相邻但不与所述第一负载线相邻,并且只具有第三STTM器件,所述第三STTM器件与所述第二STTM器件非共面,并且与所述第一STTM器件共面,其中,所述第一STTM器件和所述第三STTM器件通过边缘场耦合,所述边缘场是弱边缘场。
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