[发明专利]具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件及其形成方法有效
申请号: | 201380060946.0 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN104813468B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | B·S·多伊尔;D·L·肯克;C·C·郭;U·沙阿;K·奥乌兹;M·L·多齐;S·苏里;C·韦布 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和用于制造具有偏移单元的垂直STTM器件的方法。例如,自旋转移扭矩存储器(STTM)阵列包括设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件的第一负载线。所述STTM阵列还包括设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻并且只具有第二STTM器件的第二负载线,所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面。 | ||
搜索关键词: | 具有 偏移 单元 垂直 自旋 转移 扭矩 存储器 sttm 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种自旋扭矩转移存储器STTM阵列,包括:第一负载线,所述第一负载线设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件;第二负载线,所述第二负载线设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻,并且只具有第二STTM器件,所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面;第三负载线,所述第三负载线设置于所述衬底上方、与所述第二负载线相邻但不与所述第一负载线相邻,并且只具有第三STTM器件,所述第三STTM器件与所述第二STTM器件非共面,并且与所述第一STTM器件共面,其中,所述第一STTM器件和所述第三STTM器件通过边缘场耦合,所述边缘场是弱边缘场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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