[发明专利]缩小尺寸的共振隧穿场效应晶体管在审
| 申请号： | 201380061009.7 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104854703A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | U·E·阿维奇;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例包括异质结隧穿场效应晶体管，所述异质结隧穿场效应晶体管包括源极、沟道和漏极；其中，(a)所述沟道包括与沟道长度相对应的长轴，以及与沟道宽度相对应并且与所述长轴正交的短轴；(b)所述沟道长度小于10nm长；(c)对所述源极进行掺杂使其具有第一极性，并且所述源极具有第一导带；(d)对所述漏极进行掺杂使其具有与所述第一极性相反的第二极性，并且所述漏极具有第二导带，所述第二导带比所述第一导带具有更高能量。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 缩小 尺寸 共振 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：n异质结隧穿场效应晶体管(n-heTFET)，所述n异质结隧穿场效应晶体管包括源极、沟道和漏极；其中，(a)所述沟道包括与沟道长度相对应的长轴，以及与沟道宽度相对应并且与所述长轴正交的短轴；(b)所述沟道长度小于10nm长；(c)所述源极是正掺杂的并且具有第一导带；(d)所述漏极是负掺杂的并且具有第二导带，所述第二导带比所述第一导带具有更高能量；以及(e)所述源极和所述漏极分别包括InAs和GaSb；Si和InAs；Si和SiGe；GaAsSb和InAsSb；以及InGaAs和InP中的一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380061009.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加强PV层压板
- 下一篇：显示设备和用于制造显示设备的方法
- 同类专利
- 专利分类
