[发明专利]复合基板的制造方法和复合基板在审
| 申请号： | 201380061023.7 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104798176A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 小西繁;白井省三 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/316;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 复合基板的制造方法，是通过将半导体基板1与支持基板3贴合后，对上述半导体基板1进行薄化，得到在支持基板3上具有半导体层6的复合基板8的复合基板的制造方法，其中,在支持基板3的进行贴合的面形成含有聚硅氮烷的涂膜4a，进行将该涂膜4a加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜4，然后经由该绝缘膜4将上述半导体基板1与支持基板3贴合，抑制支持基板的面粗糙度、缺陷引起的贴合不良，简便地得到复合基板。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
复合基板的制造方法，是将半导体基板与支持基板贴合后，对上述半导体基板进行薄化，得到在支持基板上具有半导体层的复合基板的复合基板的制造方法，其特征在于，将含有聚硅氮烷的涂膜形成于上述半导体基板与支持基板进行贴合的面的至少任一个，进行将该涂膜加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜，然后经由该绝缘膜将上述半导体基板与支持基板贴合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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