[发明专利]一种改良n型硅基板的方法在审
申请号: | 201380061212.4 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN104919568A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 阿里·卡凯宁;米莉亚·汉努-库雷;亨娜·贾维塔洛;保罗·威廉姆斯;亚尔科·雷沃;阿德米尔·哈季奇;王建辉 | 申请(专利权)人: | 奥普提汀公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/0216;C09D183/04;C09D183/06;H01L31/056 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;刘华联 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 一种改进用于光伏设备中的硅基板的方法,包括以下步骤:提供n型硅太阳能电池基板,其具有块并呈现一个前表面和一个后表面;以及通过液相涂布在所述前表面和后表面上形成电介质层;其中,形成在后表面的所述电介质层能够作为反射物用以增加光向所述硅基板的所述块中的反射,以及形成在前表面的所述电介质层包括氧、氢和至少一种金属或半金属,并能够向所述硅基板的所述块中和所述表面上释放氢以提供氢化和钝化。本发明提供一种低成本的方法,其改进了光伏设备的电学和/或光学性能:设备内呈现流量萃取效率的增加和复合的降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 改良 型硅基板 方法 | ||
【主权项】:
一种改进用于光伏设备中的硅基板的方法,其包括以下步骤:‑提供n型硅基板,其具有块并呈现一个前表面和一个后表面;以及‑通过液相涂布在所述前表面和后表面上形成电介质层;其中,在后表面形成的电介质层能够作为反射物起作用,以增强光向所述硅基板的所述块中的反射,并且其中,在前表面形成的所述电介质层包括氧、氢和至少一种金属或半金属,并能够向所述硅基板的所述块中和所述表面上释放氢,以提供氢化和钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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