[发明专利]半导体材料有效
| 申请号： | 201380061381.8 | 申请日： | 2013-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN104813441B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 门诺·卡珀斯;朱丹丹 | 申请（专利权）人： | 因特莱克有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;宫传芝 |
| 地址： | 英国普*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶片，包括：衬底；在该衬底上的第一AlGaN层；在该第一AlGaN层上的第二AlGaN层；在该第二AlGaN层上的GaN层；以及在该第一AlGaN层和第二AlGaN层之间的多个晶体GaN岛。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体材料 半导体晶片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，作为用于形成发光二极管或太阳能电池的支撑物使用，由以下组成：硅衬底；所述硅衬底上的AlN层；在所述AlN层上的第一AlGaN层；在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层；在所述第二AlGaN层上的GaN层；以及在所述第一AlGaN层和所述第二AlGaN层之间的多个晶体GaN岛；其特征在于，所述第一AlGaN层包括Alx(Ga)(1‑x)N，其中，x在0.6>x>0.4的范围内；和所述第二AlGaN层包括Aly(Ga)(1‑y)N，其中，y在0.4>y>0.1的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
