[发明专利]用于多层磁性材料的改良式晶种层在审
申请号: | 201380061488.2 | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN104823292A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 诺真·杰;童儒颖 | 申请(专利权)人: | 海德威科技公司;诺真·杰;童儒颖 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;H01F10/32;G11C11/16 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种磁性元件,其中揭露一种如氮化钽/镁复合式晶种层以增强垂直磁异向性于覆盖式磁性层,其可为参考层、自由层或是偶极层。第一晶种层选自一或多个钽、锆、铌、氮化钽、氮化锆、氮化铌及钌,第二晶种层选自一或多个镁、锶、钛、铝、钒、铪、硼、硅,由镍镉或其合金所制成的成长促进层可插入在晶种层及磁性层间,磁性元件具有至少400℃的热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 用于 多层 磁性材料 改良 式晶种层 | ||
【主权项】:
一种磁性元件,其包括:一第一晶种层,其包含一或多个钽Ta、锆Zr、铌Nb、氮化钽TaN、氮化锆ZrN、氮化铌NbN及钌Ru;一第二晶种层,其接触该第一晶种层的顶部表面,且包含一或多个镁Mg、锶Sr、钛Ti、铝Al、钒V、铪Hf、硼B、硅Si、镁锆MgZr及镁铌MgNb,该第二晶种层及一磁性层形成一第一界面;该磁性层;及一通道阻障层,其由氧化镁MgO或另一氧化物所构成,且形成于该磁性层,以得到一复合式晶种层/磁性层/通道阻障层结构。
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