[发明专利]低功率SRAM单元在审
| 申请号： | 201380061632.2 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104885158A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | A·皮克林 | 申请（专利权）人： | 苏尔格有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器单位(4)，包括：存储元件(6)，包括一对背靠背反相器(12a,12b和14a,14b)，其分别具有第一和第二存储访问节点(24,26)；第一和第二电压线(VSS,VDD 16a,16b)，所述一对背靠背反相器(12a,12b和14a,14b)跨越第一和第二电压线(VSS,VDD 16a,16b)连接；第一访问控制晶体管(18a)，连接至第一存储节点(24)；第二访问控制晶体管(18b)，连接至第二存储节点(26)；写入字线(22)，连接至第一访问控制晶体管(18a)上的栅极(18g1)和第二访问控制晶体管(18b)上的栅极(18g2)；第一位线(28)，可操作地连接以用于控制所述节点(24)；第二位线(30)，可操作地连接以用于控制所述节点(26)；其中，提供第一和第二位线(28,30)之间的数据依赖导电路径(46)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 sram 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单位(4)，包括：a)存储元件(6)，包括一对背靠背反相器(12a,12b和14a,14b)，其分别具有第一和第二存储访问节点(24,26)；b)第一和第二电压线(VSS,VDD 16a,16b)，所述一对背靠背反相器(12a,12b和14a,14b)跨越所述第一和第二电压线(VSS,VDD 16a,16b)连接；c)第一访问控制晶体管(18a)，连接至所述第一存储节点(24)；d)第二访问控制晶体管(18b)，连接至所述第二存储节点(26)；e)写入字线(22)，连接至所述第一访问控制晶体管(18a)上的栅极(18g1)和所述第二访问控制晶体管(18b)上的栅极(18g2)；f)第一位线(28)，可操作地连接以用于控制所述第一存储节点(24)；g)第二位线(30)，可操作地连接以用于控制所述第二存储节点(26)；其特征在于所述第一和第二位线(28,30)之间的数据依赖导电路径(46)，其由所述存储元件(6)存储的数据来控制。
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