[发明专利]用于光电用途的混合的铋和铜的氧化物以及硫化物在审
申请号: | 201380061780.4 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN104813483A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | T.勒梅西埃;P.巴布;T.勒巴赫 | 申请(专利权)人: | 罗地亚经营管理公司;法国国家科学研究中心 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;C01G29/00;H01L31/072;C01B19/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 黄念;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一种材料作为p-型半导体以提供光电流的用途,该材料包括至少一种具有式(I)的化合物:BiCu1-zOaSbSecTed(I),其中0≤z≤0.2;0≤a≤2;0≤b≤2;0≤c≤2;0≤d≤2;并且a+b+c+d=2。本发明还涉及使用这些半导体(21)的光电装置(20)。 | ||
搜索关键词: | 用于 光电 用途 混合 氧化物 以及 硫化物 | ||
【主权项】:
一种材料作为p型半导体以提供光电流的用途,该材料包括至少一种具有式(I)的化合物:BiCu1‑zOaSbSecTed (I)其中0≤z≤0.2;0≤a<2;0≤b<2;0≤c<2;0≤d<2;并且a+b+c+d=2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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