[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201380061890.0 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN104798198A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: T.法伊希廷格;F.林纳 申请(专利权)人: 埃普科斯股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/34;H01L33/64
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱君;刘春元
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 给出半导体装置,所述半导体装置具有:在载体本体(14)上的半导体构件(7),所述载体本体具有陶瓷本体(4)以及集成在载体本体(14)中、与陶瓷本体(4)直接连接的热敏电阻传感器结构(3);并且具有散热件(1),所述载体本体(14)装配在所述散热件上。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具有-半导体构件(7),-载体本体(14),在所述载体本体上装配所述半导体构件(7)并且所述载体本体具有陶瓷本体(4)和集成在所述载体本体(14)中、与所述陶瓷本体(4)直接连接的热敏电阻传感器结构(3),以及-散热件(1),在所述散热件上装配所述载体本体(14),在所述半导体装置中,在所述半导体构件(7)和所述散热件(1)之间的散热线路(15)中布置两个热敏电阻传感器结构,其中一个热敏电阻传感器结构布置在所述载体本体(14)的面向所述半导体构件(7)的侧上,另一个热敏电阻传感器结构布置在所述载体本体(14)的背离所述半导体构件(7)的侧上,以及所述陶瓷本体(4)与所述两个热敏电阻传感器结构被形成为一体式的陶瓷部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃普科斯股份有限公司,未经埃普科斯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380061890.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top