[发明专利]电容式压力传感器和方法在审
| 申请号： | 201380061895.3 | 申请日： | 2013-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN104969049A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | A·费伊;A·B·格雷厄姆 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;A·费伊;A·B·格雷厄姆 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施例中，形成MEMS装置的方法包括使得硅晶片设置有基底层和在所述基底层的上表面上方的中间层。在所述中间层中限定第一电极并且在所述中间层的上表面上方设置氧化物部。在所述氧化物部的上表面上设置罩层并且在所述罩层中限定第二电极。所述方法还包括蚀刻氧化物部以形成腔以使得当所述第二电极和所述腔突出到所述中间层上时，所述突出的第二电极包围所述突出的腔。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 压力传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种形成MEMS装置的方法，所述方法包括：设置基底层；在所述基底层的上表面上方设置中间层；在所述中间层中限定第一电极；在所述中间层的上表面上方设置氧化物部；在所述氧化物部的上表面上设置罩层；在所述罩层中限定第二电极；蚀刻所述氧化物部以形成腔以使得当所述第二电极和所述腔突出到所述中间层上时，所述突出的第二电极包围所述突出的腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司;A·费伊;A·B·格雷厄姆，未经罗伯特·博世有限公司;A·费伊;A·B·格雷厄姆许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380061895.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
