[发明专利]用于在基材上制备单一介电层和/或阻挡层或多层的方法以及用于实施所述方法的装置

摘要

本发明涉及在基材上制备介电层和/或阻挡层的方法，其特征在于包括下列阶段：(a)清洁基材，(b)将所述基材置于样品架上，并将其导入到真空仓室中，(c)在所述真空仓室中计量投入惰性气体和反应性气体，(d)在所述真空仓室中注入具有待沉积化合物的至少一种阳离子的挥发性前体，(e)激活射频源并激活至少一个磁控管，(f)使用等离子体分解所述挥发性前体，在所述挥发性前体的阳离子与所述反应性气体之间的反应，发生在所述等离子体中包含的反应性气体与通过阴离子溅射来自于靶的阳离子之间的反应发生的同时，由此导致薄膜沉积在所述基材上。本发明还涉及用于执行所述方法的装置。

主权项

用于在基材上制备单一阻挡层和/或介电层或多层的方法，其特征在于包括下列阶段：(a)通过清洗和干燥来清洁基材，(b)将所述基材置于样品架上，并将它插入到真空仓室中，(c)向所述真空仓室计量投入至少一种惰性气体和/或一种反应性气体，(d)向所述真空仓室中注射具有待沉积化合物的至少一种阳离子的挥发性前体，其中所述注射使用质量流量控制器或计量阀来进行，(e)激活连接到样品架的射频源以及激活位于所述真空仓室内部的至少一个磁控管，所述磁控管被提供有含有待沉积的金属元素化合物的至少一个阴极或一个靶，(f)使用等离子体分解所述挥发性前体，在所述挥发性前体的阳离子与所述反应性气体之间的反应，发生在所述等离子体中包含的反应性气体与通过溅射来自于靶的阳离子之间的反应发生的同时，由此导致薄膜沉积在所述基材上。