[发明专利]用于改善的连续直拉法的热屏障在审
| 申请号： | 201380062196.0 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104903496A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | T·N·斯瓦米纳坦 | 申请（专利权）人： | 索拉克斯有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12;C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 秘凤华;吴鹏 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于通过直拉法生长晶锭的设备。该晶锭在由晶体进料予以补充的一定量的熔融硅中从熔体/晶体界面被拉出。该设备包括构造成保持熔融硅的坩埚和支承在坩埚中的窑坎。该窑坎构造成将熔融硅从构造为接纳晶体进料的外部区分离到内部生长区中。该窑坎包括竖直延伸的侧壁和顶壁。环形热屏障设置在窑坎的顶壁上，并且覆盖外部区的至少约70％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 连续 直拉法 屏障 | ||
【主权项】：
一种用于通过直拉法生长晶锭的设备，所述晶锭在由晶体进料予以补充的一定量的熔融硅中从熔体/晶体界面被拉出，所述设备包括：构造成保持所述熔融硅的坩埚；支承在所述坩埚中的窑坎，所述窑坎构造成将所述熔融硅从构造为接纳所述晶体进料的外部区分离到围绕所述晶体/熔体界面的内部生长区中，所述窑坎包括至少一个竖直延伸的侧壁，以及顶壁；和设置在所述窑坎的所述顶壁上的环形热屏障，所述环形热屏障覆盖所述外部区的至少约70％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索拉克斯有限公司，未经索拉克斯有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380062196.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐热布帛
- 下一篇：Zn-Mg合金镀层钢板及其制造方法
