[发明专利]用于鳍型场效应晶体管的复合硬掩模在审
| 申请号： | 201380064097.6 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN104956488A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | V.S.巴斯克;E.利奥班邓格;山下典洪;叶俊呈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/033;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种鳍型场效应晶体管结构，通过在衬底上形成硬掩模层形成，所述衬底包括位于绝缘层之上的含硅层；所述硬掩模层包括位于含硅层之上的第一层、第二层以及第三层；鳍阵列，由所述硬掩模层以及所述含硅层形成；栅极，所述栅极覆盖所述鳍阵列中每个鳍的部分而不是全部长度，所述部分覆盖所述阵列中的每个鳍，所述栅极在该栅极的两侧界定源极/漏极区域；间隔物，形成在所述栅极的每一侧，所述形成间隔物被实施以从位于所述源极/漏极区域中的鳍的部分移除所述第三层，从位于所述源极/漏极区域中的鳍的部分移除所述硬掩模层的第二层，并且合并位于所述源极/漏极区域中的鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 复合 硬掩模 | ||
【主权项】：
一种形成鳍型场效应晶体管结构的方法，包括：在衬底上形成硬掩模层，其中所述衬底包括位于绝缘层之上的含硅层，所述硬掩模层包括第一层、第二层以及第三层，其中所述第一层形成在所述含硅层之上，所述第二层形成在所述第一层之上，所述第三层形成在所述第二层之上；从所述硬掩模层以及所述含硅层形成鳍阵列；形成栅极，所述栅极覆盖每个所述鳍阵列的部分而不是全部长度，所述部分覆盖所述阵列中的每个鳍，所述栅极在该栅极的两侧界定源极/漏极区域；在所述栅极每一侧形成间隔物，所述形成间隔物被实施以从位于所述源极/漏极区域中的鳍的部分移除所述第三层；从位于所述源极/漏极区域中的所述鳍的部分移除所述硬掩模层的所述第二层；以及合并位于所述源极/漏极区域中的鳍以创建位于所述源极/漏极区域中的合并的鳍。
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