[发明专利]微米尺寸的互连Si-C复合材料的合成有效

专利信息
申请号: 201380064190.7 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN104837768A 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: 王东海;衣冉;戴放 申请(专利权)人: 宾夕法尼亚州研究基金会
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36;B82Y40/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李英
地址: 美国宾*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实施方案提供了通过煅烧将可商购的SiOx(0<x<2)转化为硅框架、接着蚀刻并且随后通过含有具有碳原子的有机分子的气体的热分解的碳填充来制备具有互连的纳米级Si和C构造单元的微米尺寸的Si-C复合材料或掺杂的Si-C和Si合金-C的方法。
搜索关键词: 微米 尺寸 互连 si 复合材料 合成
【主权项】:
用于合成互连的Si‑C纳米复合材料的方法,其包括:煅烧SiOx(0<x≤2)以形成包含硅和二氧化硅的纳米结构;使多孔硅纳米结构经受氢氟酸蚀刻以形成多孔硅纳米结构;通过气体的热分解在多孔硅纳米结构上沉积碳,其中所述气体包含具有碳原子的有机分子,由此形成互连的Si‑C纳米复合材料。
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