[发明专利]与借助牺牲插件形成穿衬底通孔相关的装置、系统及方法有效
| 申请号： | 201380064197.9 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104854694B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 库纳尔·R·帕雷克;凯尔·K·柯比 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文揭示制造半导体装置的方法。根据特定实施例配置的方法包含：在所述半导体装置的正面中形成一或多个开口；及在所述开口中形成部分填充所述开口的牺牲插件。所述方法进一步包含使用导电材料来进一步填充所述部分填充的开口，其中个别牺牲插件通常处于所述导电材料与所述半导体装置的衬底之间。在所述半导体装置的背面处暴露所述牺牲插件。可通过移除所述牺牲插件而在所述背面处形成接触区域。 | ||
| 搜索关键词： | 插件 半导体装置 开口 填充 导电材料 衬底 背面 接触区域 配置的 通孔 移除 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在所述半导体装置的正面中形成一或多个第一开口，所述一或多个开口延伸穿过所述半导体装置的衬底的一部分，且在所述衬底中所述第一开口中的每一者的底部处界定表面；在所述第一开口中形成牺牲插件；使用第一导电材料进一步填充所述第一开口，其中个别牺牲插件处于所述第一导电材料与所述衬底中所述第一开口的所述底部处的所述表面之间；在所述衬底的背面处暴露所述牺牲插件；通过移除所述牺牲插件来在所述第一开口中形成空隙；在所述衬底的所述背面处形成掩模，其中所述掩模包含在所述掩模中界定第二开口的图案，所述第二开口与所述空隙中相应的空隙对准，且其中所述第二开口中的每一者包括在所述空隙外面的外部部分；及用第二导电材料填充所述空隙和所述第二开口，以形成与所述第一导电材料耦合且具有由所述相应的空隙及所述第二开口的外部部分界定的形状的导电结构。
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