[发明专利]通过CVD制作金刚石层的方法在审
| 申请号： | 201380064698.7 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104937136A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | C·S·J·皮克尔斯;C·沃特;J·布兰登;N·珀金斯 | 申请（专利权）人： | 六号元素技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C30B25/10;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 使用微波等离子体化学气相沉积(CVD)合成技术采用合成金刚石材料涂覆非耐火的和/或非平面的基材(8)的方法，该方法包括：·形成复合基材组件(1)，该组件(1)包括：·包含上表面的支撑基材(2)；·布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hg的一个或多个导电耐火防护物(6)；和布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hs的一个或多个非耐火的和/或非平面的基材，其中高度hs小于高度hg，其中高度差hg－hs处于0.2mm至10mm范围内；·将该复合基材组件置于微波等离子体CVD反应器的等离子体室内；·将工艺气体供给到等离子体室中，包括含碳气体和含氢气体；·在等离子体室中供给微波以在该复合基材组件上方的位置处形成微波等离子体；和·在该一个或多个非耐火的和/或非平面的基材上生长合成金刚石材料。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 cvd 制作 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
使用微波等离子体化学气相沉积(CVD)合成技术采用合成金刚石材料涂覆非耐火的和/或非平面的基材的方法，该方法包括：形成复合基材组件，该组件包括：包含上表面的支撑基材；布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hg的一个或多个导电耐火防护物；和布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hs的一个或多个非耐火的和/或非平面的基材，其中高度hs小于高度hg，其中高度差hg－hs处于0.2mm至10mm范围内；将该复合基材组件置于微波等离子体CVD反应器的等离子体室内；将工艺气体供给到等离子体室中，包括含碳气体和含氢气体；在等离子体室中供给微波以在该复合基材组件上方的位置处形成微波等离子体；和在该一个或多个非耐火的和/或非平面的基材上生长合成金刚石材料。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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