[发明专利]保护电路在审
| 申请号： | 201380064791.8 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN104838553A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | W·科斯托茨 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/18 | 分类号： | H02H3/18;H02H11/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种保护电路(105)，其包括：输入端(120)；输出端(125)；P型场效应晶体管(T1)，其漏极连接端(D)与所述输入端(120)连接而其源极连接端(S)与所述输出端(125)连接；电容(C1)，其在所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端(G)和地(130)之间；齐纳二极管(Z1)，其负极与所述输出端(125)连接；电阻(R1)，其在齐纳二极管(Z1)的正极和地(130)之间；二极管(D1)，其正极与所述齐纳二极管(Z1)的正极连接而其负极与所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端(D)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种保护电路(105)，其包括：输入端(120)；输出端(125)；P型场效应晶体管(T1)，其漏极连接端(D)与所述输入端(120)连接而其源极连接端(S)与所述输出端(125)连接；电容(C1)，其在所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端(G)和地(130)之间；齐纳二极管(Z1)，其负极与所述输出端(125)连接；电阻(R1)，其在所述齐纳二极管(Z1)的正极和地(130)之间；二极管(D1)，其正极与所述齐纳二极管(Z1)的正极连接而其负极与所述场效应晶体管(T1)的栅极连接端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380064791.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于在无线对接环境中使用无线充电器的装置和方法
- 下一篇：半导体激光器装置
