[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201380065535.0 申请日: 2013-12-11
公开(公告)号: CN104854715A 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 亚历山大·鲍姆加特纳;马库斯·里希特;汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔;托尼·阿尔布雷希特 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/58
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提出一种光电子半导体器件(5),所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射。光电子半导体器件(5)包括光电子半导体芯片(1)、设有弯曲部的转换元件(4)和间隔元件(3),所述间隔元件设置在光电子半导体芯片(1)和转换元件(4)之间并且具有朝向转换元件(4)的弯曲的表面(3A),其中转换元件(4)与弯曲的表面(3A)直接接触。
搜索关键词: 光电子 半导体器件 用于 制造 方法
【主权项】:
1.一种光电子半导体器件(5),所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射,所述光电子半导体器件包括:-光电子半导体芯片(1),所述光电子半导体芯片具有辐射出射面(1A)和至少一个横向于所述辐射出射面(1A)伸展的侧面(1B),所述光电子半导体芯片在运行中通过所述辐射出射面(1A)发射初级辐射(6A),-设有弯曲部的转换元件(4),所述转换元件设置在所述光电子半导体芯片(1)上并且设为用于将所述初级辐射(6A)的至少一部分波长转换成次级辐射(6B),以及-间隔元件(3),所述间隔元件设置在所述光电子半导体芯片(1)和所述转换元件(4)之间并且具有朝向所述转换元件(4)的弯曲的表面(3A),其中-所述转换元件(4)与所述弯曲的表面(3A)直接接触,-所述转换元件(4)是施加到所述弯曲的表面(3A)上的厚度均匀的层,-至少一个所述侧面(1B)由所述转换元件(4)覆盖,并且-至少一个所述侧面(1B)未由所述间隔元件(3)覆盖。
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