[发明专利]气体传感器及气体传感器结构体在审
| 申请号： | 201380066134.7 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104870987A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 下山勲;松本洁;竹井裕介;稻叶亮;柳光鉉;本多祐仁;今本浩史 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学;欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/12;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 | 代理人： | 吴京顺;姚志远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体传感器及气体传感器结构体，与现有的气体传感器相比，能够以简单结构提高气体的检测灵敏度。通过将源极(3)和漏极(4)之间的石墨烯(8)设置在离子液体(L)中，由此因吸收气体而产生的离子液体(L)中的电荷状态变化直接反映到流过石墨烯(8)的源漏电流(Isd)，因此与现有的气体传感器相比能够提高气体的检测灵敏度。并且，只要将石墨烯(8)设置在离子液体(L)中即可，因此不需要像现有的气体传感器一样用多种聚合物对碳纳米管进行表面化学修饰的结构，能够简化其结构。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 结构 | ||
【主权项】：
一种气体传感器，检测作为检测对象的气体，其特征在于，包括：平坦的碳结构体，设置在基板上的源极和漏极之间，并由相当于一个碳原子厚度的一层结构或者多层结构形成；气体吸收体，被配置为覆盖所述碳结构体，根据因所述气体吸收体吸收所述气体而在所述碳结构体上产生的源漏电流的变化来检测所述气体。
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