[发明专利]半导体光检测器在审
申请号: | 201380066623.2 | 申请日: | 2013-10-01 |
公开(公告)号: | CN104885222A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 薄田学;广濑裕;加藤刚久;寺西信一 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J1/42;G01T1/20;H01L31/02;H04N5/369 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体光检测器,通过与以往相比大幅减小暗噪声和倍增噪声,从而能够检测包含随机光在内的微弱光。半导体光检测器至少具有1个单位像素,该单位像素具有光电变换部、电荷积蓄部、以及检测电路。电荷积蓄部对入射光进行光电变换,并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域。电荷积蓄部与光电变换部连接,积蓄来自光电变换部的信号电荷。检测电路与电荷积蓄部连接,将电荷积蓄部中积蓄的信号电荷变换为电压,通过放大部进行放大后输出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 检测器 | ||
【主权项】:
一种半导体光检测器,至少具备1个单位像素,所述单位像素具有:光电变换部,其对入射光进行光电变换,并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域;电荷积蓄部,其与所述光电变换部连接,积蓄来自所述光电变换部的信号电荷;以及检测电路,其与所述电荷积蓄部连接,将所述电荷积蓄部中积蓄的所述信号电荷变换为电压,通过放大部进行放大后输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的