[发明专利]半导体光检测器在审

专利信息
申请号: 201380066623.2 申请日: 2013-10-01
公开(公告)号: CN104885222A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 薄田学;广濑裕;加藤刚久;寺西信一 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01J1/42;G01T1/20;H01L31/02;H04N5/369
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李国华
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体光检测器,通过与以往相比大幅减小暗噪声和倍增噪声,从而能够检测包含随机光在内的微弱光。半导体光检测器至少具有1个单位像素,该单位像素具有光电变换部、电荷积蓄部、以及检测电路。电荷积蓄部对入射光进行光电变换,并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域。电荷积蓄部与光电变换部连接,积蓄来自光电变换部的信号电荷。检测电路与电荷积蓄部连接,将电荷积蓄部中积蓄的信号电荷变换为电压,通过放大部进行放大后输出。
搜索关键词: 半导体 检测器
【主权项】:
一种半导体光检测器,至少具备1个单位像素,所述单位像素具有:光电变换部,其对入射光进行光电变换,并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域;电荷积蓄部,其与所述光电变换部连接,积蓄来自所述光电变换部的信号电荷;以及检测电路,其与所述电荷积蓄部连接,将所述电荷积蓄部中积蓄的所述信号电荷变换为电压,通过放大部进行放大后输出。
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