[发明专利]碳氟聚合物的化学气相沉积有效
| 申请号： | 201380067246.4 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104870687A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | A·V·朱克;N·桑能伯格 | 申请（专利权）人： | 吉列公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;B05D1/00;B26B21/60;C23C16/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;陈文青 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在结构体的表面上形成碳氟聚合物的方法。引导原料气体通过多孔加热构件，所述构件具有的温度足以裂解所述原料气体并产生位于邻近在其上形成碳氟聚合物的结构体表面的位置处的反应性物质，所述反应性物质包含(CF2)n基团，其中n＝1或2。保持结构体表面的温度低于多孔加热构件的温度，从而引起(CF2)n基团(其中n＝1或2)在结构体表面上的沉积和聚合。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 化学 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于在结构体的表面上形成碳氟聚合物的方法，所述方法包括以下步骤：·引导原料气体通过多孔加热构件，所述构件的温度足以裂解所述原料气体以产生反应性物质，所述反应性物质包含(CF2)n基团，其中n＝1或2，并且选择性地促进(CF2)n聚合，所述反应性物质位于邻近在其上形成所述碳氟聚合物的结构体表面的位置处；以及·保持所述结构体表面的温度低于所述多孔加热构件的温度，从而引起所述(CF2)n基团(其中n＝1或2)在所述结构体表面上的沉积和聚合。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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