[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201380067811.7 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104885229A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;越智元隆;后藤裕史;钉宫敏洋;广濑研太 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C01G19/00;H01L21/306;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，是在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极以及保护所述源‑漏电极的保护膜的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层是具有由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，所述第2氧化物半导体层在所述栅极绝缘膜上形成，并且，所述第1氧化物半导体层在所述第2氧化物半导体层与所述保护膜或所述源‑漏电极之间形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚‑第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。
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