[发明专利]用于硅晶片的局部掺杂的掺杂介质在审
| 申请号： | 201380067938.9 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104884685A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | I·克勒;O·多尔;S·巴尔特 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/04 | 分类号： | C30B31/04;C23C18/12;C23C18/32;H01L21/22;H01L21/225;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/028;C09D183/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制备可印刷、高粘度氧化物介质的新方法，并涉及其在制造太阳能电池中的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 局部 掺杂 介质 | ||
【主权项】：
制备以掺杂介质形式的可印刷、高粘度(粘度＞500mPas)氧化物介质的方法，其特征在于，使烷氧基硅烷和/或烷氧基烷基硅烷与a)对称和不对称的羧酸酐i.在含硼化合物的存在下和/或ii.在含磷化合物的存在下或b)与强羧酸i.在含硼化合物的存在下和/或ii.在含磷化合物的存在下或c)与变量a)和b)的组合i.在含硼化合物的存在下和/或ii.在含磷化合物的存在下缩合进行基于无水溶胶‑凝胶的合成，并通过受控凝胶化来制备糊状的高粘度掺杂介质(掺杂糊剂)。
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