[发明专利]干蚀刻方法在审
| 申请号： | 201380068003.2 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104871298A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 乾裕俊 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为一种蚀刻方法，其为使用蚀刻气体，对于含有至少一层的硅氧化膜层和至少一层的硅氮化膜层的多层层叠膜两者同时进行蚀刻的方法，含有式(1)：CxHyFz(式中，x为4、y为4以上的整数、z为正整数、y+z为10)所示的链状饱和氟代烃化合物。根据本发明的蚀刻方法，即使在多层层叠膜的蚀刻中，孔也不会被堆积膜堵塞，可以得到对掩模的高的选择性和良好的图案形状。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻气体，对于含有至少一层的硅氧化膜层和至少一层的硅氮化膜层的多层层叠膜两者同时进行蚀刻的方法，所述蚀刻气体含有式(1)：CxHyFz(式中，x为4、y为4以上的整数、z为正整数、y+z为10)所示的链状饱和氟代烃化合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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