[发明专利]CMOS有源像素结构

摘要

本发明涉及一种CMOS有源像素结构，包括：第一类型的半导电衬底(1)；至少一个以光伏模式操作的第一光电二极管，其包括由第二类型的掺杂区域所限定的光伏转换区域(2)，该第二类型掺杂区域与衬底形成PN结，所述第一光电二极管将在所述第一光电二极管对光曝光期间由PN结收集的光电荷载子重新发射；至少一个以积分模式操作并且反向偏置的第二光电二极管，所述第二光电二极管包括由第二类型的掺杂区域所限定的电荷积累区域(3)，该第二类型掺杂区域与衬底形成PN结，所述电荷积累区域暴露于来自光伏转换区域(2)的电荷载子，以便于积累这种电荷载子。

主权项

一种CMOS类型的有源像素结构，包括：‑第一类型的半导体衬底(1)，‑至少一个第一光电二极管，其配置为在所述第一光电二极管对辐照的曝光期间以光伏模式操作，所述第一光电二极管包括由第二类型的掺杂区域所限定的光伏转换区域(2)，所述第二类型的掺杂区域与所述衬底形成PN结，所述第一光电二极管配置为将在所述第一光电二极管对辐照曝光期间由所述PN结捕获的光电荷载子重新发射；‑至少一个第二光电二极管，其配置为以积分模式操作，并且在所述第一光电二极管对辐照曝光期间反向偏置，所述第二光电二极管包括由第二类型的掺杂区域所限定的电荷积累区域(3)，所述第二类型的掺杂区域与所述衬底形成PN结，所述电荷积累区域配置为暴露于源自所述光伏转换区域(2)的电荷载子，以便积累所述电荷载子；以及‑读出装置，其读取所述第一光电二极管的电压并且读取在第二光电二极管处的电荷测量。