[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种碳化硅半导体器件，能够降低碳化硅基板的OFF角对半导体器件的特性造成的影响，并实现动作稳定性的提高和低电阻化。在具有OFF角的碳化硅半导体基板中形成了的沟槽栅型碳化硅MOSFET半导体器件中，在阱区域中的所述沟槽的第1侧壁面侧设置低沟道掺杂区域，在阱区域中的所述沟槽的第2侧壁面侧设置有效受主浓度比所述低沟道掺杂区域低的高沟道掺杂区域。

主权项

一种碳化硅半导体器件，其特征在于，具备：由碳化硅构成的第1导电类型的漂移区域，形成在具有OFF角的碳化硅半导体基板的第1主面上；由碳化硅构成的第2导电类型的阱区域，形成在所述漂移区域的表面上；由碳化硅构成的第1导电类型的源区域，选择性地形成在所述阱区域的表层部；沟槽，从所述源区域的表面贯通所述阱区域而到达所述漂移区域；栅电极，隔着栅绝缘膜而形成在所述沟槽的内部；源电极，与所述阱区域及所述源区域连接；漏电极，与碳化硅半导体基板相接地形成在所述碳化硅半导体基板的作为第1主面的相反侧的面的第2主面；以及第2导电类型的高浓度阱区域，形成在所述阱区域内，所述第2导电类型的高浓度阱区域的杂质浓度比所述阱区域的杂质浓度大，在所述沟槽的第1侧壁面侧的所述阱区域形成有低沟道掺杂区域，在所述沟槽的第2侧壁面侧的所述阱区域形成有有效受主浓度比所述低沟道掺杂区域低的高沟道掺杂区域。