[发明专利]用于高纵横比氧化物蚀刻的氟碳分子在审
| 申请号： | 201380068688.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104885203A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | C·安德森;R·古普塔;V·M·奥马尔吉;N·斯塔福德;C·杜萨拉 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张蓉珺;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于在基质上的含Si层中等离子体蚀刻通道孔、栅槽、阶梯触点、电容器孔、接触孔等的蚀刻气体，和使用它的等离子体蚀刻方法。蚀刻气体为反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；顺-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；六氟异丁烯；六氟环丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；五氟环丁烷(1,1,2,2,3-)；四氟环丁烷(1,1,2,2-)；或六氟环丁烷(顺-1,1,2,2,3,4)。蚀刻气体可提供在含Si层与掩模材料之间改进的选择性，较少的对通道区域的损害、直垂直剖面和图案高纵横比结构中减少的卷曲。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纵横 氧化物 蚀刻 分子 | ||
【主权项】：
蚀刻含硅膜的方法，所述方法包括：将蚀刻气体引入包含在基质上的含硅膜的等离子体反应室中，其中蚀刻气体选自反‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯；顺‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯；六氟异丁烯；六氟环丁烷(反‑1,1,2,2,3,4)；五氟环丁烷(1,1,2,2,3‑)；四氟环丁烷(1,1,2,2‑)；和六氟环丁烷(顺‑1,1,2,2,3,4)；将惰性气体引入等离子体反应室中；和将等离子体活化以产生能够由基质选择性蚀刻含硅膜的经活化的蚀刻气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380068688.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
