[发明专利]对氧化物蚀刻剂中氟化氢水平的改良的控制有效
申请号: | 201380069435.5 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN104903996A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 艾米·M·曾;B·V·詹金斯;罗伯特·麦克 | 申请(专利权)人: | 纳尔科公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 武晶晶;郑霞 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于鉴定缓冲氧化物蚀刻组合物中的氢氟酸的量的方法和组合物。在缓冲氧化物蚀刻组合物中,测量氢氟酸的量是非常难的,因为氢氟酸具有变化的平衡且其是有毒的,因此难以处理和取样。然而,当用于制造微芯片时,不正确量的氢氟酸将毁坏那些芯片。本发明利用一种独特的方法,该方法在氢氟酸与添加的显色剂接触时光谱地测量氢氟酸以获得精确的、即时的且安全的准确测量值。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 蚀刻 氟化氢 水平 改良 控制 | ||
【主权项】:
一种检测、测量以及任选地校正BOE组合物中的游离HF的存在的方法,所述方法包括以下步骤:基于以下的相互作用来预先确定给定的BOE组合物的预期蚀刻速率:温度、表面活性剂类型、表面活性剂浓度、游离HF浓度、组合物流速、组合物流向以及所述BOE组合物将被应用的位置与晶圆上的层‑层界面的位置的邻近性,通过将所述BOE组合物应用到所述晶圆来蚀刻所述晶圆,与蚀刻同时地,使用显色剂利用SIA方法来测量所述游离HF浓度,与蚀刻同时地,使用显色剂利用SIA方法来测量所述表面活性剂浓度,与蚀刻同时地,使用激光反射比来测量发生的实际蚀刻速率,以及任选地改变所述温度、表面活性剂类型、表面活性剂浓度、游离HF浓度、组合物流向以及组合物流速中的至少一种,以将所述实际蚀刻速率改变为符合期望的蚀刻速率,其中,所述SIA方法包括利用选自由以下组成的列表中的一种染料混合物:酚红与氯酚红、氯酚红与百里酚蓝、以及酚红与氯酚红并且与百里酚蓝,并且乙醇也被添加至所述混合物,并且其中用于所述SIA方法的所述染料混合物的量若用于非连续分析方法时,不足以测量所述游离HF的浓度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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