[发明专利]硅单晶晶片、其制造方法以及检测缺陷的方法有效
| 申请号： | 201380069725.X | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN104919570B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 沈遇荣 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;胡春光 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种硅单晶晶片。该硅单晶晶片包括被分成NiG区域和NIDP区域的IDP，其中，所述IDP区域为未检测到Cu基缺陷的区域，所述NiG区域为检测到Ni基缺陷的区域，以及所述NIPD区域为未检测到Ni基缺陷的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 晶片 制造 方法 以及 检测 缺陷 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶晶片，包括：被分成NiG区域和NIDP区域的IDP区域，以及VDP区域；其中，所述IDP区域不存在用Cu溶液检测到的Cu基缺陷；所述NiG区域不存在所述Cu基缺陷而存在由Ni溶液检测到的Ni基缺陷；以及所述NIDP区域不存在所述Cu基缺陷和所述Ni基缺陷，所述VDP区域既存在所述Cu基缺陷又存在所述Ni基缺陷；其中，所述Ni基缺陷为通过Ni溶液与所述硅单晶晶片的氧沉淀物结合所形成的金属沉淀物；其中，所述Cu基缺陷为通过Cu溶液与所述硅单晶晶片的氧沉淀物结合所形成的金属沉淀物；所述NiG区域的提拉速度小于所述VDP区域的提拉速度并且大于所述NIDP区域的提拉速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
