[发明专利]存储器单元和形成存储器单元的方法

摘要

本发明的一些实施例包括一种形成存储器单元的方法。切换区的第一部分形成于第一电极上。所述切换区的第二部分是使用原子层沉积形成于所述第一部分上。所述第二部分为与所述第一部分不同的组合物。离子源区形成于所述切换区上。第二电极形成于所述离子源区上。一些实施例包括一种在电极对之间具有切换区的存储器单元。所述切换区经配置以可逆地在低电阻状态与高电阻状态之间转变。所述切换区包括两个或两个以上离散部分，其中在所述高电阻状态中所述部分中的一个部分不具有与直接抵靠这一部分的任何组合物相同的非氧组分。

主权项

1.一种存储器单元，其包含：位于电极对之间的切换区，所述切换区具有6埃到20埃的厚度并且包含第一离散部分和第二离散部分，其中所述第一离散部分具有在大于0埃到小于20埃范围内的厚度，所述第一离散部分和所述第二离散部分在所述存储器单元的高电阻状态中不具有与任何直接抵靠对应离散部分的组合物相同的非氧组分，所述第一离散部分和所述第二离散部分中的各者是通过沉积来形成，并且所述第一离散部分和所述第二离散部分中的至少一者是通过原子层沉积来形成，所述第一离散部分和所述第二离散部分中的各者不具有与任何直接抵靠对应离散部分的相邻层的任何组分相同的非氧组分。