[发明专利]EUV反射镜和包括EUV反射镜的光学系统有效

专利信息
申请号: 201380070253.X 申请日: 2013-12-06
公开(公告)号: CN104919537B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: T.希克坦兹;H-J.保罗;C.扎克齐克 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G21K1/06 分类号: G21K1/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: EUV反射镜包括基板和施加在所述基板上的多层布置,所述多层布置对于具有来自极紫外范围(EUV)的波长λ的辐射有反射效应,并包含具有交替层的多个层对,所述交替层包含高折射率层材料和低折射率层材料。多层布置具有:周期性第一层组(LG1),具有第一数目N1>1的第一层对,所述第一层对布置在所述多层布置的辐射入射侧附近,并具有第一周期厚度P1;周期性第二层组(LG2),具有第二数目N2>1的第二层对,所述第二层对布置在所述第一层组和所述基板之间,并具有第二周期厚度P2;以及第三层组(LG3),具有第三数目N3的第三层对,所述第三层对布置在所述第一层组和所述二层组之间。所述第一数目N1大于所述第二数目N2。所述第三层组具有平均第三周期厚度P3,所述平均第三周期厚度与平均周期厚度PM=(P1+P2)/2偏差周期厚度差ΔP,其中所述周期厚度差ΔP基本上对应于四分之一波层的光学层厚度λ/4与所述第三数目N3和cos(AOIM)之乘积的商,其中,AOIM是设计所述多层布置所针对的平均入射角。
搜索关键词: 多层布置 第一层 第三层 反射镜 基板 厚度差 交替层 低折射率层 高折射率层 光学系统 辐射 光学层 入射侧 入射角 波长 波层 二层 反射 施加
【主权项】:
EUV反射镜,包括:基板;以及施加在所述基板上的多层布置,所述多层布置对于具有来自极紫外范围的波长λ的辐射具有反射效应,并包含具有交替层的多个层对,所述交替层包含高折射率层材料和低折射率层材料;其中,所述多层布置具有:周期性第一层组,具有第一数目N1>1的第一层对,所述第一层对布置在所述多层布置的辐射入射侧附近,并具有第一周期厚度P1;周期性第二层组,具有第二数目N2>1的第二层对,所述第二层对布置在所述第一层组和所述基板之间,并具有第二周期厚度P2;以及第三层组,具有第三数目N3的第三层对,所述第三层对布置在所述第一层组和所述第二层组之间,其特征在于,所述第一数目N1大于所述第二数目N2,所述第三层组具有平均第三周期厚度P3,所述平均第三周期厚度与平均周期厚度PM=(P1+P2)/2偏差一周期厚度差ΔP,其中所述周期厚度差ΔP基本上对应于四分之一波层的光学层厚度λ/4与所述第三数目N3和cos(AOIM)之乘积的商,其中,AOIM是设计所述多层布置所针对的平均入射角,其中,条件ΔP=x*(λ/(N3cos(AOIM)))适用于所述周期厚度差ΔP,并且其中适用条件0.2≤x≤0.35。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司,未经卡尔蔡司SMT有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380070253.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top