[发明专利]半导体光学装置和半导体光学装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380070732.1 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104956499B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤龙舞 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体光学装置具有：芯片，其是半导体叠层的芯片，所述半导体叠层具有：具有第1面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面的与第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层、和夹在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的有源层，所述芯片的侧面包括：第1侧面，其与所述第2面连续，与第2面之间形成钝角，横截所述第2半导体层和所述有源层，并进入到所述第1半导体层；和与所述第1侧面连续的分割面；第1导电型侧电极，其形成在所述第1面上；以及第2导电型侧电极，其形成在所述第2面上，所述半导体叠层的面内尺寸是50μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 导电型 半导体光学装置 半导体叠层 芯片 侧电极 侧面 源层 分割面 钝角 横截 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光学装置，其中，所述半导体光学装置具有：芯片，其是半导体叠层的芯片，所述半导体叠层具有：具有第1面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面的与第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层、和夹在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的有源层，所述芯片的侧面是接近没有突出部的曲面的形状，包括：第1侧面，其与所述第2面连续，与第2面之间形成钝角，横截所述第2半导体层和所述有源层，并进入到所述第1半导体层；和与所述第1侧面连续的分割面；第1导电型侧电极，其形成在所述第1面上；以及第2导电型侧电极，其形成在所述第2面上，在生长所述芯片时所使用的生长衬底被除去，所述芯片仅由所述半导体叠层构成，所述第1导电型侧电极和所述第2导电型侧电极露出，所述半导体叠层的面内尺寸是50μm以下。
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