[发明专利]一次写入存储器中的联合重写和错误校正在审
| 申请号： | 201380071398.1 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN105579972A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋安虓;李玥;E·恩·加德;M·朗贝格;J·布鲁克 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院;德克萨斯A&M大学体系;蒋安虓;李玥;E·恩·加德;M·朗贝格;J·布鲁克 |
| 主分类号： | G06F11/08 | 分类号： | G06F11/08;G11C29/52;H03M13/00 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 重写和错误校正这二者是可用于诸如闪速存储器的非易失性存储器的技术。本文公开了一种针对一次写入存储器模型组合重写和错误校正的编码方案。在一些实施方式中，码构造基于极性码，并且支持任何数量的重写并且校正大量的错误。可以针对二进制对称通道分析所述码。能够将结果扩展到多级单元和更一般的噪声模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 写入 存储器 中的 联合 重写 错误 校正 | ||
【主权项】：
一种重写存储器的方法，该方法包括以下步骤：确定所述存储器的多个单元中的每一个的当前单元电荷电平；根据线性变换生成多个下一个单元电荷电平，其中，各个下一个单元电荷电平是基于所述当前单元电荷电平中的对应一个并且基于输入数据生成的，其中，各个下一个单元电荷电平大于或等于所对应的当前单元电荷电平，其中，所述多个下一个单元电荷电平表示所述输入数据，并且其中，所述多个下一个单元电荷电平包括用于错误校正的冗余；以及将所述下一个单元电荷电平存储在所述存储器中。
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