[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380072378.6 | 申请日： | 2013-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN105027289B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 木村圭佑;龟山悟;小山雅纪;青井佐智子 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 苏萌萌,范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本说明书公开了一种IGBT区域与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备第一导电型的体层，其被形成在半导体基板的表面上；第一导电型的体接触层，其被局部地形成在体层的表面上，并且与体层相比第一导电型的杂质浓度较高；第二导电型的发射层，其被局部地形成在体层的表面上；第二导电型的漂移层，其被形成于体层的背面侧；第一导电型的集电层，其被形成于漂移层的背面侧；栅电极，其通过绝缘膜而被覆盖并被配置于沟槽的内部。在该半导体装置中，距二极管区域的距离较远的位置处的体接触层与距二极管区域的距离较近的位置处的体接触层相比被形成为较大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其为绝缘栅双极型晶体管区域与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其中，绝缘栅双极型晶体管区域具备：第一导电型的体层，其被形成在半导体基板的表面上；第一导电型的体接触层，其被局部地形成在体层的表面上，并且与体层相比第一导电型的杂质浓度较高；第二导电型的发射层，其被局部地形成在体层的表面上；第二导电型的漂移层，其被形成于体层的背面侧；第一导电型的集电层，其被形成于漂移层的背面侧；栅电极，其通过绝缘膜而被覆盖并被配置于沟槽的内部，距二极管区域的距离较远的位置处的体接触层与距二极管区域的距离较近的位置处的体接触层相比被形成为较大。
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