[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明使用依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的SOI基板，批量生产对半导体层的厚度进行了管理的纵型的半导体装置。对SOI基板的表面实施从表面实施的处理，并从SOI基板的背面进行蚀刻而去除背面侧半导体层和绝缘层以使表面侧半导体层的背面露出，并对露出的表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。能够准确地管理SOI基板的表面侧半导体层的厚度，并批量生产具有与表面侧半导体层相同的厚度的半导体层的半导体装置。在不为形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的区域中，无需去除背面侧半导体层和绝缘层。还能够批量生产在有源区域中去除了绝缘层和背面侧半导体层，而在外围耐压区域中保留了绝缘层和背面侧半导体层的纵型的半导体装置。能够成品率较高地批量生产高性能的半导体装置。

主权项

一种纵型的半导体装置的制造方法，包括：表面侧处理工序，对依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的绝缘体上硅基板的所述表面侧半导体层的表面实施从表面实施的处理；蚀刻工序，从所述表面侧处理工序后的绝缘体上硅基板的背面进行蚀刻，而将形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的至少一部分中的所述背面侧半导体层和所述绝缘层去除，以使所述表面侧半导体层的背面露出；背面侧处理工序，对所述蚀刻工序后的所述表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。