[发明专利]半导体二极管组合件有效
| 申请号： | 201380072871.8 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN104995740B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | J·厄肖恩;W·肯珀;Y-L·林;M·弗伦奇;S·巴德科克 | 申请（专利权）人： | 达尔科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 曹晓斐 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有平面的p‑n结的TVS装置具有优越的击穿及电流处置性能。与现有技术中的结隔离二极管组合件相比，形成于封闭沟槽中的结二极管组合件占用较少芯片面积。运用在结形成之后形成的沟槽制造的二极管组合件减小制造成本，且掩模步骤增加制程灵活性且允许实现非对称TVS及单向TVS功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 组合 | ||
【主权项】：
一种具有前表面及背表面的半导体芯片，其包括：延伸到所述芯片的所述背表面的半导体材料的衬底；从所述衬底延伸到所述芯片的所述前表面的外延半导体材料层；一对半导体材料柱，各自由从所述芯片的所述前表面且朝向所述衬底延伸的沟槽结构封闭；所述对柱中的每一者含有不多于一个p‑n结，所述p‑n结与所述相应柱的径向横截面共同延伸；以及一对电端子，其各自在所述芯片的所述前表面接触所述对的半导体材料柱中的一者，在所述端子之间形成含有至少一个且不多于两个p‑n结的电路。
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