[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380072943.9 | 申请日： | 2013-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104995736B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 妹尾贤 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 苏萌萌,范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少主面表面的绝缘层内的可动离子并且提高耐压的半导体装置。半导体装置(2)具备多个FLR(14)、绝缘层(5)、半导体层(3)。多个FLR(14)在对基板(8)进行俯视观察时包围形成有元件的有源区域。绝缘层(5)被设置在半导体装置(2)的主面上并覆盖多个FLR(14)。半导体层(3)被设置在绝缘层内，并以与FLR(14)平行的方式包围有源区域。半导体层(3)以与RESURF条件的面密度相比较低的面密度而含有杂质。而且，在俯视观察时，半导体层(3)与相邻的FLR(14)之间的范围(环间范围(Ra))的一部分重叠，且不与环间范围(Ra)的剩余部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：多个场限环，在对半导体装置的基板进行俯视观察时，包围形成有半导体元件的有源区域；绝缘层，其被设置在基板的主面上并覆盖多个场限环；半导体层，其被设置在绝缘层内，并在所述俯视观察时包围有源区域，且与所述场限环平行，半导体层以与RESURF条件的面密度相比较低的面密度而含有杂质，并且在俯视观察时，与相邻的场限环之间的环间范围的一部分重叠，且不与环间范围的剩余部分重叠。
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