[发明专利]包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片有效
| 申请号： | 201380073040.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN104995683B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | K·J·李;T·加尼;J·M·施泰格瓦尔德;J·H·埃普尔;王奕 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例将诸如自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)等的存储器集成在逻辑芯片内。STT‑MRAM包括磁性隧道结(MTJ)，其具有上MTJ层、下MTJ层、以及直接接触所述上MTJ层和所述下MTJ层的隧道势垒；其中，所述上MTJ层包括上MTJ层侧壁，并且所述下MTJ层包括与所述上MTJ层水平偏移开的下MTJ侧壁。另一个实施例包括存储器区域，其包括MTJ；以及逻辑区域，其位于衬底上；其中，水平面与所述MTJ相交，第一层间电介质(ILD)材料与所述MTJ相邻，并且第二ILD材料包括在所述逻辑区域中，所述第一和第二ILD材料彼此不等同。本文中还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 嵌入式 磁性 隧道 逻辑 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一磁性隧道结(MTJ)，其包括第一上MTJ层、第一下MTJ层、以及直接接触所述第一上MTJ层的第一下表面和所述第一下MTJ层的第一上表面的第一隧道势垒；以及第一层间电介质(ILD)材料；其中，所述第一上MTJ层包括第一上MTJ层侧壁，并且所述第一下MTJ层包括与所述第一上MTJ层侧壁水平偏移第一水平偏移间隔的第一下MTJ侧壁，所述第一水平偏移间隔限定了第一水平偏移距离，并且其中，平行于所述第一上MTJ层的所述第一下表面的第一水平面与包括在所述第一MTJ与所述第一层间电介质材料之间的第一抛光停止材料相交。
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