[发明专利]等离子体源有效

专利信息
申请号: 201380073180.X 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN104996000B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 弗洛林·丹尼尔·多米尼克;文森特·勒克莱尔;埃里克·西尔伯伯格;阿兰·丹尼尔 申请(专利权)人: 安赛乐米塔尔研究与发展有限责任公司
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01J37/32
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王琳;武晨燕
地址: 西班牙*** 国省代码: 西班牙;ES
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于在衬底(9)上沉积涂层的等离子体源(1),该等离子体源可连接到电源(P)上并且包括:电极(2);磁体组件(4),相对于所述电极圆周放置并且包括一组磁体,该组磁体由磁性支架(46)相互连接,该组磁体包括第一和第二中间磁体(43、44)和至少一个头磁体(45);以及电绝缘外壳(5),被设置为包围电极和磁体。
搜索关键词: 等离子体源 电极 电绝缘外壳 沉积涂层 磁体组件 磁性支架 电极圆周 可连接 衬底 电源 包围
【主权项】:
1.一种等离子体源(1),用于在衬底(9)上沉积涂层并且能够被连接到电源(P)上,所述等离子体源包括:a)电极(2),界定放电腔(3),所述放电腔导向开口(6),所述衬底被放置在所述开口的对面,所述电极的横截面包括被放置在底部件(23、24)的两侧的第一侧壁和第二侧壁(21、22),所述底部件设置有突出到所述放电腔中的中间部分(25),所述中间部分包括第一中间壁和第二中间壁(26、27)以及将这两个中间壁(26、27)接合起来的顶部件(28),所述第一中间壁和所述第二中间壁(26、27)中的每一个具有比所述第一侧壁和所述第二侧壁(21、22)距所述底部件(23、24)更小的延伸部,所述底部件包括第一底壁(23)和第二底壁(24);b)磁体组件(4),位于所述电极的外围并且包括一组磁体,该组磁体借助于磁性支架(46)被连接在一起,所述磁体中每一个包括朝向所述放电腔的暴露磁极和朝向所述磁性支架的受保护磁极,所述磁体组件包括:i)至少一个第一侧磁体和第二侧磁体(41、42),所述第一侧磁体和所述第二侧磁体分别在所述开口(6)附近被设置在所述第一侧壁(21)和第二侧壁(22)之后,所述侧磁体被取向为使得所述侧磁体的暴露磁极具有相同的磁性;ii)至少一个第一中间磁体和第二中间磁体(43、44),所述第一中间磁体和所述第二中间磁体分别被设置在所述第一中间壁(26)和第二中间壁(27)之后,所述两个中间磁体被取向为使得所述中间磁体的暴露磁极具有与所述侧磁体的暴露磁极的磁性相反的磁性,所述第一中间磁体(43)位于比所述第一侧磁体(41)距所述第一底壁(23)更小的距离处,所述第二中间磁体(44)位于比所述第二侧磁体(42)距所述第二底壁(24)更小的距离处;iii)至少一个头磁体(45),被设置在所述顶部件(28)之后并且被取向为使得所述头磁体的暴露磁极具有与所述侧磁体的暴露磁极的磁性相同的磁性;c)电绝缘外壳(5),被设置为包围所述电极和所述磁体而不阻塞所述开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安赛乐米塔尔研究与发展有限责任公司,未经安赛乐米塔尔研究与发展有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380073180.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top