[发明专利]用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置在审
| 申请号： | 201380073273.2 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105210172A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;J·A·皮特尼;P·D·阿尔布雷克特 | 申请（专利权）人： | 太阳能爱迪生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/322;H01L21/463;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于制备具有降低的应变的异质结构的装置和方法。所述异质结构包括半导体结构，所述半导体结构顺应具有与所述结构不同的晶格常数的表面层以形成相对低的缺陷的异质结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 具有 通过 径向 压缩 降低 应变 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于弛豫在异质结构中应变的方法，所述异质结构包括衬底、在所述衬底上设置的表面层以及在所述衬底与所述表面层之间的界面，所述衬底包括中心轴、通常垂直于所述中心轴的背表面以及跨所述衬底穿过所述中心轴延伸的直径，所述方法包括：在所述衬底中形成位错源层；以及径向压缩所述衬底以产生位错并且从所述位错源层将所述位错朝向所述表面层滑动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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