[发明专利]用于在Ⅲ族氮化物基发光二极管上沉积外延ZnO的工艺及包括外延ZnO的发光二极管在审
| 申请号： | 201380073825.X | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105190914A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 雅各布·J·理查德森;丹尼尔·埃斯特拉达;埃文·C·奥哈拉;石浩然;申赞燮;尹余镇 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L33/28 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种在衬底上形成ZnO层的方法，以及通过该方法形成的包括ZnO层的LED。该ZnO层通过利用连续离子层吸附与反应(SILAR)工艺来形成。该SILAR工艺包括：向包含GaN的衬底施加第一溶液，以在衬底上形成内部离子层及在内部离子层上形成外部离子层；在衬底上进行第一清洗操作以去除外部离子层；以及向经清洗的衬底施加第二溶液以将内部离子层转化为ZnO氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 发光二极管 沉积 外延 zno 工艺 包括 | ||
【主权项】：
一种利用连续离子层吸附与反应(SILAR)工艺形成外延ZnO层的方法，该方法包括：在包括GaN的衬底上实施SILAR工艺，所述SILAR工艺包括：向衬底施加第一溶液以形成位于衬底上的内部离子层及位于内部离子层上的外部离子层，所述内部离子层包含Zn离子或化合物；在衬底上进行第一清洗操作以去除外部离子层；向经清洗的衬底施加第二溶液以将内部离子层转变成氧化层；重复SILAR工艺；以及对衬底进行退火以形成外延ZnO层。
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