[发明专利]用于准备用于成像的样本的方法在审
申请号: | 201380074003.3 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN105103270A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | M.施米特;J.布拉克伍德;S.斯通;S.H.李;R.凯利;T.兰丁 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;张懿 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于以减少或防止人造产物的方式准备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。离子束研磨使用块体研磨工艺暴露工件的横截面。当从暴露的横截面移除小量的材料的时,将沉积前驱体气体引导向样本表面,沉积前驱体产生更均匀的横截面。实施例对于准备用于具有不同硬度的材料的层的样本的SEM观察的横截面是有用的。实施例对于薄TEM样本的准备是有用的。 | ||
搜索关键词: | 用于 准备 成像 样本 方法 | ||
【主权项】:
一种离子束研磨由不同材料的层组成的工件中的平滑横截面表面的方法,暴露的横截面表面暴露不同材料的层用于通过扫描型电子显微镜观察,所述方法包括:将聚焦的离子束引导向工件的表面以暴露工件的内表面,其暴露不同材料的层,束形成平行于束方向的壁,所述壁具有由以不同的速率研磨的、在层中的不同的材料引起的不规则性;将沉积前驱体气体引导向壁;在沉积前驱体气体存在的情况中,将聚焦的离子束引导向工件以从壁移除薄层,当离子束蚀刻壁时前驱体气体分解以在壁的部分上沉积材料,沉积的材料使壁的离子束蚀刻平坦以产生平滑的表面;以及将电子束引导向壁以形成壁的图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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