[发明专利]通过直拉法制造铟掺杂硅在审
| 申请号： | 201380074084.7 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN105008595A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | J·S·阿佩尔;R·斯卡拉;L·博纳诺;S·哈灵格尔;A·贾纳塔斯欧;V·莫瑟;M·J·宾斯 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 秘凤华;马江立 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种生长单晶硅锭的方法。该方法包括以下步骤：提供单晶锭生长设备，该单晶锭生长设备包括具有内部压力的腔室和设置在该腔室内的坩埚；在该坩埚中制备硅熔体；从硅熔体上方的进气口将惰性气体引入腔室中，其中该惰性气体流过硅熔体的表面并具有一定流量；将包含铟的挥发性掺杂剂引入硅熔体中；使铟掺杂的单晶硅锭生长；以及通过调节惰性气体流量和腔室的内部压力的比率来控制硅锭中的铟掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 法制 掺杂 | ||
【主权项】：
一种生长单晶硅锭的方法，该方法包括以下步骤：提供单晶硅锭生长设备，该生长设备包括具有一定内部压力的腔室和设置在所述腔室内的坩埚；在所述坩埚中制备硅熔体；从所述硅熔体上方的进气口将惰性气体引入所述腔室中，其中所述惰性气体流过所述硅熔体的表面并具有一定流量；将挥发性的掺杂剂引入所述硅熔体中，其中所述挥发性的掺杂剂包含铟；生长铟掺杂的单晶硅锭，其中所述铟掺杂的单晶硅锭具有一定的铟掺杂剂浓度；以及通过调节惰性气体流量与所述腔室的内部压力的比率来控制硅锭中的铟掺杂剂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380074084.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
