[发明专利]用于测试感测发射晶体的自测电路及方法有效
申请号: | 201380074150.0 | 申请日: | 2013-03-18 |
公开(公告)号: | CN105026925B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | J.厄斯金 | 申请(专利权)人: | 斯凯孚公司 |
主分类号: | G01N29/14 | 分类号: | G01N29/14;G01M13/04;G01N29/30;G01N29/34;G01N29/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 于小宁 |
地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 晶体自测电路(100,200)被用于自测被安装到轴承(150)、轴承外壳(160)和机器(170)的一个上的声发射晶体(110)或是振动晶体(211)。晶体自测电路(100,200)包括多工器IC(120,220),所述多工器IC在脉冲注入配置和信号收集配置之间切换。在脉冲注入配置中,多工器IC(120,220)提供晶体自测输入(122,222)和感测发射晶体(110,211)之间的信号通信。在信号收集配置中,多工器IC(120,220)提供感测发射晶体(110,211)和信号分析器(126,226)之间的信号通信。在操作中,多工器IC(120,220)在预定的时间段上将波形(优选地方波)施加到感测发射晶体(110,211)。多工器IC(120,220)然后切换以收集来自感测发射晶体(110,211)的输出波形并且将输出波形转送到信号分析器(126,226)。输出信号可以由信号放大器(130,231)放大。 | ||
搜索关键词: | 传感器 自测 | ||
【主权项】:
一种用于测试感测发射晶体(110,211)的自测电路(100,200),所述自测电路(100,200)包括:电压源(VA);接地(AGND);控制器(102,202);晶体自测输入(122,222);分析器;以及多工器IC(120,220)具有:被提供为与所述接地(AGND)信号通信的电压输入引脚(V),被提供为与所述接地(AGND)信号通信的接地引脚(GND),被提供为与所述控制器(102,202)信号通信的控制器输入引脚(IN),被提供为与所述晶体自测输入(122,222)信号通信的常开引脚(NO),被提供为与所述感测发射晶体(110,211)信号通信的共用引脚(COM);与所述分析器信号通信的常闭引脚(NC)输出,其中所述多工器IC(120,220)配置为在信号注入配置和信号收集配置之间切换,以及所述多工器IC的所述配置由控制器(102,202)控制;其中在所述信号注入配置中所述感测发射晶体与所述晶体自测输入(122,222)信号通信;在所述信号收集配置中所述感测发射晶体与所述分析器信号通信;其中在操作中:所述控制器(102,202)配置所述多工器IC(120,220)在信号注入配置和信号收集配置之间切换;其中当所述多工器IC(120,220)处于所述信号注入配置,晶体自测输入(122,222)将波形传递到所述感测发射晶体(110,211),其中所述波形被提供为与所述感测发射晶体(110,211)信号通信,所述波形激励所述感测发射晶体(110,211),并且当所述多工器IC(120,220)处于所述信号收集配置,所述感测发射晶体(110,211)发射的所述波形被传递到所述分析器。
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