[发明专利]用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部在审
| 申请号： | 201380074273.4 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105121693A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣伟;纳格·B·帕蒂班德拉;汪荣军;丹尼尔·李·迪尔;维韦卡·阿格拉沃尔;阿纳塔·苏比玛尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 光电 电子器件 pvd aln 缓冲 | ||
【主权项】：
一种形成用于氮化镓(GaN)基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法，所述方法包括下列步骤：反应性溅射AlN层于基板上，所述反应性溅射步骤包括使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应；及将氧并入所述AlN层中。
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