[发明专利]激光退火装置、半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380074352.5 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN105074875B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 金田和德;凑忠玄;川濑祐介 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/20
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明所涉及的激光退火装置的特征在于,具有:载置台,其载置被加热物;第1激光元件,其放射第1连续激光;第1光学系统,其将该第1连续激光向该被加热物引导,在该被加热物上形成第1照射区域;第2激光元件,其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光;第2光学系统,其将该第2连续激光向该被加热物引导,在该被加热物上形成第2照射区域;以及系统控制器,其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描,即,针对该被加热物的各部分,在该第2照射区域进行扫描前,该第1照射区域的至少一部分进行扫描。
搜索关键词: 激光 退火 装置 半导体 制造 方法
【主权项】:
1.一种激光退火装置,其特征在于,具有:载置台,其载置被加热物;第1激光元件,其放射第1连续激光;第1光学系统,其将所述第1连续激光向所述被加热物引导,在所述被加热物上形成第1照射区域;第2激光元件,其放射与所述第1连续激光相比波长较短的第2连续激光;第2光学系统,其将所述第2连续激光向所述被加热物引导,在所述被加热物上形成第2照射区域;系统控制器,其以下述方式使所述第1照射区域和所述第2照射区域进行扫描,即,针对所述被加热物的各部分,在所述第2照射区域进行扫描前,所述第1照射区域的至少一部分进行扫描;第4激光元件,其放射与所述第1连续激光相比波长较短的第4连续激光;以及第4光学系统,其将所述第4连续激光向所述被加热物引导,在所述被加热物上形成第4照射区域,所述系统控制器以下述方式使所述第4照射区域进行扫描,即,针对所述被加热物的各部分,在所述第2照射区域进行扫描后,所述第4照射区域进行扫描。
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