[发明专利]激光退火装置、半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201380074352.5 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN105074875B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 金田和德;凑忠玄;川濑祐介 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明所涉及的激光退火装置的特征在于,具有:载置台,其载置被加热物;第1激光元件,其放射第1连续激光;第1光学系统,其将该第1连续激光向该被加热物引导,在该被加热物上形成第1照射区域;第2激光元件,其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光;第2光学系统,其将该第2连续激光向该被加热物引导,在该被加热物上形成第2照射区域;以及系统控制器,其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描,即,针对该被加热物的各部分,在该第2照射区域进行扫描前,该第1照射区域的至少一部分进行扫描。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光退火装置,其特征在于,具有:载置台,其载置被加热物;第1激光元件,其放射第1连续激光;第1光学系统,其将所述第1连续激光向所述被加热物引导,在所述被加热物上形成第1照射区域;第2激光元件,其放射与所述第1连续激光相比波长较短的第2连续激光;第2光学系统,其将所述第2连续激光向所述被加热物引导,在所述被加热物上形成第2照射区域;系统控制器,其以下述方式使所述第1照射区域和所述第2照射区域进行扫描,即,针对所述被加热物的各部分,在所述第2照射区域进行扫描前,所述第1照射区域的至少一部分进行扫描;第4激光元件,其放射与所述第1连续激光相比波长较短的第4连续激光;以及第4光学系统,其将所述第4连续激光向所述被加热物引导,在所述被加热物上形成第4照射区域,所述系统控制器以下述方式使所述第4照射区域进行扫描,即,针对所述被加热物的各部分,在所述第2照射区域进行扫描后,所述第4照射区域进行扫描。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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