[发明专利]具有低位错密度的SiC晶体和从晶体切割的SiC晶片在审
| 申请号： | 201380074914.6 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN105051268A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·德拉赫夫;达伦·汉森;M·罗伯达;爱德华·桑切斯 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成SiC晶体的方法，包括将SiC的晶种置于绝缘石墨容器中，以及将所述晶种支撑在搁架上，其中垫圈接触所述晶种的顶部表面和底部表面的周边上的所述晶种，并且其中所述石墨容器不接触所述晶种的侧表面；将Si和C原子源置于所述绝缘石墨容器中，其中所述Si和C原子源供运输到所述晶种以生长所述SiC晶体；将所述石墨容器置于炉中；加热所述炉；排空所述炉；向所述炉充入惰性气体；以及维持所述炉以支持晶体生长，从而形成所述SiC晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低位 密度 sic 晶体 切割 晶片 | ||
【主权项】：
一种通过气相运输到晶种上来形成SiC晶体的方法，所述方法包括：a.将硅和碳原子源置于石墨容器中，其中所述硅和碳原子源供运输到所述晶种以生长所述SiC晶体；b.将所述晶种置于所述石墨容器中，并将所述晶种支撑在所述石墨容器内的搁架上而不使所述晶种物理附连于所述石墨容器的任何部分；c.将盖子置于所述容器上使得所述盖子不接触所述晶种，并且将所述石墨容器置于真空炉中；d.排空所述炉并建立惰性气体流，并且控制压力在＞79kPa(＞600托)的值处；e.将所述炉加热到2,000℃至约2,500℃的温度；f.将所述炉排空到1.3kPa至约13kPa(10托至约100托)的压力；g.将所述压力控制在0.013kPa至13kPa(0.1托至100托)；h.维持所述炉以支持晶体生长，从而形成所述SiC晶体，同时在整个晶体生长过程中防止所述晶种接触所述盖子。
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