[发明专利]在SIW和波导接口之间的过渡

摘要

本发明涉及在SIW和波导接口(3)之间的过渡布置(1)。SIW包括电介质材料(4)、第一和第二金属层(5，6)以及基本上平行并且电连接金属层(5，6)的第一和第二电壁元件(7a，7b)。过渡布置(1)包括第一金属层(5)中的耦合孔(8)以及在第一和第二电壁元件(7a，7b)之间的第三壁元件(7c)。过渡布置(1)进一步包括具有第一和第二主表面(10，11)的中间过渡元件(9)以及具有第一和第二开口(13，14)的过渡孔(12)，第一和第二开口(13，14)具有相应的第一和第二宽度(w1，w2)。过渡元件(9)被安装在耦合孔(8)上，第一宽度(w1)超过第二宽度(w2)，并且从第一宽度(w1)到第二宽度(w2)的过渡以至少一个台阶(15，16)在第一开口(13)和第二开口(14)之间发生。第二开口(14)被安装到波导接口(3)，该波导接口(3)具有接口开口(17)，其相对于第二开口(14)偏移，形成前端台阶(18)。

主权项

一种过渡布置(1)，所述过渡布置(1)被适配为提供在基板集成波导SIW(2)与波导接口(3)之间的信号过渡，所述SIW包括电介质材料(4)、第一金属层(5)、第二金属层(6)和电壁元件布置(7a、7b、7c)，所述电介质材料(4)具有层厚度(td)并且位于所述第一金属层(5)和所述第二金属层(6)之间，所述电壁元件布置包括第一电壁元件(7a)和第二电壁元件(7b)，所述第一电壁元件(7a)和所述第二电壁元件(7b)至少部分地彼此平行、在SIW纵向延伸(es)上以SIW宽度(ws)分离、并且将所述第一金属层(5)与所述第二金属层(6)电连接，微波信号被布置为在限域内沿着所述SIW纵向延伸(es)传播，所述限域通过至少所述第一金属层(5)、所述第二金属层(6)、所述第一电壁元件(7a)和所述第二电壁元件(7b)来限定，所述过渡布置(1)包括所述第一金属层(5)中的耦合孔(8)以及第三电壁元件(7c)，所述第三电壁元件(7c)跨所述SIW纵向延伸(es)位于所述第一电壁元件(7a)和第二电壁元件(7b)之间，其特征在于，所述过渡布置(1)进一步包括至少部分导电的中间过渡元件(9)，所述中间过渡元件(9)进而包括第一主表面(10)、第二主表面(11)和过渡孔(12)，所述过渡孔(12)包括在所述第一主表面(10)中具有第一宽度(w1)的第一开口(13)、以及在所述第二主表面中具有第二宽度(w2)的第二开口(14)，所述宽度(w1、w2)沿着所述SIW纵向延伸(es)而延伸，所述过渡元件(9)被安装到所述第一金属层(5)，使得所述第一开口(13)面对所述耦合孔(8)、并且至少部分地覆盖所述耦合孔(8)，所述第一宽度(w1)超过所述第二宽度(w2)，并且从所述第一宽度(w1)到所述第二宽度(w2)的过渡以至少一个台阶(15、16)在所述第一开口(13)和所述第二开口(14)之间发生，其中所述第二开口(14)面对所述波导接口(3)并且被安装到所述波导接口(3)，使得波导接口开口(17)部分地覆盖所述第二开口(14)，所述波导接口开口(17)相对于所述第二开口(14)朝着所述第三电壁元件(7c)偏移，使得在所述波导接口开口(17)内的所述第二主表面(11)的一部分上形成前端台阶(18)。