[发明专利]具有损伤区域的电子熔丝有效
| 申请号： | 201380075080.0 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105051885B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 鲍军静;G·波尼拉;S·S·乔伊;R·G·菲利普;李伟健;E·考塔理欧谷;N·E·勒斯蒂格;A·H·西蒙;王平川;张丽娟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 损伤 区域 电子 | ||
【主权项】：
1.一种电子熔丝结构，所述结构包括：Mx级(202)，包括Mx金属(208)；Mx+1级(214)，在所述Mx级之上，所述Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将所述Mx金属电连接到所述Mx+1金属的通路(242)，其中所述Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中所述Mx金属、所述Mx+1金属和所述通路基本上使用导电材料填充；以及底切特征(228)，位于所述通路的侧壁上，邻近所述通路与所述Mx+1金属之间的交叉拐角，其中所述底切特征填充有与所述通路相同的导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
