[发明专利]用于制造含碳保护膜的方法有效
| 申请号： | 201380075803.7 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN105229739B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 永田德久 | 申请（专利权）人： | 富士电机（马来西亚）有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 马来西亚*** | 国省代码： | 马来西亚;MY |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种用于制造较小厚度的保护膜的方法，其使得有可能同时防止该保护膜劣化并保持抗腐蚀性。根据本发明的用于制造含碳保护膜的该方法包括：(a)通过等离子体CVD方法使用含有碳氢化合物气体的起始材料气体在衬底上形成碳材料膜的步骤；以及(b)通过使用从具有阳极和阴极的等离子体CVD设备中的含氮起始材料气体产生的等离子体来氮化该碳材料膜并形成含碳保护膜的步骤。在步骤(b)中，阳极电位等于或大于20V；离子加速电位差在20V到120V的范围内；以及衬底电流密度在4×10‑6A/mm2到8×10‑6A/mm2的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 保护膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造含碳保护膜的方法，所述方法由以下步骤构成：(a)通过等离子体CVD法使用含有碳氢化合物气体的起始材料气体在衬底上形成碳材料膜的步骤；以及(b)通过使用从具有阳极和阴极的等离子体CVD设备中的含氮起始材料气体产生的等离子体来氮化所述碳材料膜的步骤，其中在步骤(b)中，阳极电位等于或大于20V；离子加速电位差在20V到120V的范围内；衬底电流密度在4×10‑6A/mm2到8×10‑6A/mm2的范围内；以及氮化量在6at％到20at％的范围内。
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